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改善单室沉积本征微晶硅薄膜质量的方法技术
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文档序号:3177619
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本发明公开了一种改善单室沉积本征微晶硅薄膜的制备方法,其是将玻璃衬底放在真空室内;采用等离子增强化学气相沉积或者热丝技术在衬底上沉积P层微晶硅薄膜;采用和沉积P层微晶硅薄膜相同的沉积方法沉积I层本征微晶硅薄膜,根据P层微晶硅薄膜沉积后对的腔...
该专利属于南开大学所有,仅供学习研究参考,未经过南开大学授权不得商用。
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