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纳米熔断器结构布置例如包括其上形成有导电区域的半导体衬底；其最大直径小于约５０ｎｍ且最大长度小于约２５０ｎｍ的并形成在导电区域上的导电细长纳米结构；具有与纳米结构的细长外表面完全分隔开且完全围绕纳米结构的细长外表面的阻挡部分的阻挡层，该阻挡...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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