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提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在半导体衬底中的第一导电阱区和所述第一导电阱区上或其中的第二导电阱区。栅电极在所述第一沟槽中的栅极绝缘层上，所述沟槽在所述第二导电区域和所述第一导电阱区中。漏极包括漏极绝缘层、（多晶硅）屏蔽层...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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