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本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种双栅全耗尽ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ器件，该器件包括硅衬底、埋氧层和形成在顶层硅膜中的ｎ型沟道场效应晶体管、ｐ型沟道场效应晶体管及器件介质隔离。本发明同时公开了一种制备双栅全耗尽ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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