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一种带有多晶硅场板的功率ＭＯＳ场效应管及其制造方法，其特征在于对ＭＯＳ场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：１．将单胞阵列的边缘单胞外围的Ｐ↑［－］阱直接作为场限环；２．将场限环Ｐ↑［－］区、截止环Ｐ↑［－］区和单胞阵列的Ｐ...
该专利属于苏州硅能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州硅能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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