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ＬＣＯＳ芯片像素器件结构，在一块Ｐ型硅衬底上分别按照行与列平行排布若干个像素单元，每行或每列的像素单元包括一由ｐ＋－ｉ－Ｐ电容器的上极板、薄膜绝缘层、ｐ＋－ｉ－Ｐ电容器的下极板共同构成的ｐ↑［＋］－ｉ－Ｐ电容器和一ＮＭＯＳ管，所述ＮＭＯＳ管...
该专利属于天津力伟创科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津力伟创科技有限公司授权不得商用。

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