下载获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法的技术资料

文档序号:3171177

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本发明的一个实施例提供一种用于获得在沟槽分割衬底上制造的各个多层结构的高质量边界的工艺。在操作期间,该工艺获取沟槽分割衬底,其中将该衬底的表面分成由沟槽阵列分隔的隔离淀积台的阵列。然后,该工艺在淀积台中的一个上形成多层结构,该多层结构包括第...
该专利属于晶能光电(江西)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过晶能光电(江西)有限公司授权不得商用。

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