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本发明涉及一种改善晶片氧化硅层生长的装置，包括一个炉管，一个晶舟，数个晶片和至少一个控片，晶片和控片均排列放置在晶舟上。本发明提供一种改善晶片氧化硅层生长的方法，与现有技术相比，在晶片背面为氮化硅薄膜时，本发明在控片与晶片之间加入了一个挡片...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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