温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种GaN垂直型肖特基二极管及制作方法，属于半导体技术领域，二极管包括衬底、GaN缓冲层、阳极金属层、沉积金属层和阴极金属层，制作方法包括在衬底上形成GaN缓冲层，在GaN缓冲层上表面依次形成有N+GaN外延层和N
...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。