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本发明涉及具有稳定的阈值修改材料的ＦＥＴ器件及其方法。公开了一种用于制造ＦＥＴ器件的方法。所述ＦＥＴ器件具有栅极绝缘体和阈值修改材料，所述栅极绝缘体具有高ｋ介质部分。所述方法将稳定材料引入到栅极绝缘体中以阻止一种或多种金属从所述阈值修改材料...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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