温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种改善导通电阻特性的高压场效应管结构及制造方法，通过把漂移区场氧下的P型掺杂区和P阱连接，保证在切换到开态时有足够的空穴补充耗尽状态的P型掺杂区，提高P型掺杂区的耗尽恢复速度，解决开态时耗尽恢复不完全造成导通电阻变大的问题。通过...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。