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本发明涉及一种三维沟槽电荷存储型IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统沟槽电荷存储型IGBT的基础上引入与发射极金属等电位的分离栅电极和P型埋层，通过电荷补偿有效消除N型电荷存储层对器件击穿特性的不利影响，同时可以减...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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