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本发明涉及一种场发射阴极的制备方法，该方法包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；在金属层表面形成多个凹槽；对金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除多个凹槽底部的金属氧化物层；在凹槽底部设置一层金属盐溶液；在凹槽底部生长...该专利属于鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司授权不得商用。