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一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠。在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模。通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口对所述堆叠的未掩蔽部分进行蚀...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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