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一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底，基底上具有若干分立排布的沟道柱，沟道柱包括真沟道柱与伪沟道柱；在基底表面、沟道柱的侧壁和顶部上形成牺牲层；在牺牲层上形成图形化层，暴露出伪沟道柱侧壁和顶部的牺牲层以及位于真沟道柱与伪沟道柱之间的基...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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