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本实用新型提供一种硅基GaN HEMT器件面板级扇出型封装结构，包括硅基GaN HEMT芯片，芯片的四周和正面被第一塑封料包裹，底部金属层为第一散热通道，硅基GaN HEMT芯片正面输入输出口上方的铜线路为第二散热通道。本实用新型用铜线路将...
该专利属于成都氮矽科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都氮矽科技有限公司授权不得商用。

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