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为了在使用可变门限类型的非易失性存储单元作为基准电流／电压产生元件的半导体存储器件中、在短时间内设定基准单元的门限，在存储数据的存储单元区中提供一个在不执行写入／擦除操作的检验过程期间保持其初始状态的存储单元，并且，在检验过程期间，在根据保...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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