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NAND存储器装置列充电制造方法及图纸
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文档序号:3088935
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NAND快闪存储器装置及方法的实施例认识到可通过在阵列的相邻列上维持源电压来减小有效列耦合电容。在阵列操作(读取、写入及编程)之前将所述列维持在经充电状态会减小电流浪涌并改善数据读取定时。装置及方法在预充电时且在阵列存取操作之后对所述阵列进...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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