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降低纳米压印光刻中光栅的边缘处的脱模应力制造技术
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下载降低纳米压印光刻中光栅的边缘处的脱模应力的技术资料
文档序号:30885395
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纳米结构包括在纳米结构的边缘处的外部区域。由距纳米结构的边缘的距离界定的外部区域的宽度小于100μm。在外部区域中纳米结构的深度在纳米结构的最大深度的0%和至少50%之间逐渐变化。一种方法包括在基底上形成蚀刻掩模,以及使用离子束蚀刻具有蚀刻...
该专利属于脸谱科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过脸谱科技有限责任公司授权不得商用。
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