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双位电介质存储单元（４８）的阵列（４０）包含有多条位线。第一条位线（２０１）形成用于阵列（４０）中列存储单元内的多个存储单元（４８）的每一个的源极区。第二条位线（２０２）形成用于列存储单元内的多个存储单元（４８）的每一个的漏极区。相反导电性...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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