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半导体存储器及半导体存储器的存取方法技术
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文档序号:3083579
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一种使用了铁电体层的半导体存储器,包括:存储单元,由在栅极和半导体层之间具有铁电体层的铁电体存储FET组成;缓冲单元,可复制该存储单元的数据;和缓冲电路,把上述存储单元的数据复制到上述缓冲单元并把该被复制的数据再次写入到上述存储单元。这样,...
该专利属于罗姆股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。
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