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一种含有阴极短接槽栅结构的功率二极管制造技术
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文档序号:30834278
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一种含有阴极短接槽栅结构的功率二极管,其元胞结构包括:n型掺杂的漂移区,n型掺杂的漂移区的底部设有阴极结构,以及n型掺杂的漂移区顶部设有阳极结构,阳极结构包括至少一个p型掺杂的第一阳极区和至少一个p型掺杂的第二阳极区,p型掺杂的第一阳极区与...
该专利属于四川洪芯微科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过四川洪芯微科技有限公司授权不得商用。
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