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磁存储器件制造技术
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文档序号:3083250
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本发明揭示一种能高速读出信息的磁存储器件。包括:二维排列的多个存储单元(1),使读出信息用的读出电流(Ib1、Ib2)从第1电源(电源电压Vcc)流到各存储单元(1)的多条读出位线(5)和多条读出字线(6),连接到读出位线(5)的一部分的、...
该专利属于TDK股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过TDK股份有限公司授权不得商用。
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