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本发明提供一种存储单元编程方法，在该存储单元编程方法中，使用多个阈值电压分布来执行第一至第ｎ编程操作，以编入ｎ位数据的第一至第ｎ位。顺序地执行第一至第ｎ编程操作。在第ｎ编程操作中使用的阈值电压分布之间的阈值电压差小于或等于在第一至第ｎ－１编...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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