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本发明提供了一种形成铜结构的方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括至少一个待填充的孔洞或沟槽；在孔洞或沟槽中形成导电薄膜或导电种子层；以导电薄膜或导电种子层为阴极，采用脉冲电镀沉积方法在孔洞或沟槽中形成铜结构，其中，脉冲电镀沉积方法中使...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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