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本发明属于高密度数字光存储技术领域，其特点是在下半盘片的反射层与盘基之间加入一光致变色掩膜层，通过粘结层与另一个半盘片相粘结构成兼容光盘的结构，该掩膜层的材料在７８０ｎｍ波长附近有吸收峰，而对于６５０和６３５ｎｍ波长则是全透。本发明是可被Ｃ...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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