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本公开实施例公开了一种相变存储器及其制作方法,包括:由下至上依次形成层叠设置的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层;形成贯穿第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层和第一牺牲层的第一隔离结构;其中,第一隔离结构沿...该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。
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