温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种磁记录介质，所述磁记录介质包括第一磁性层、被提供在第一磁性层上的非磁性耦合层和被提供在非磁性耦合层上的第二磁性层。所述第一和第二磁性层交换耦合，且在没有对其施加外部磁场的状态中，具有互相平行的磁化强度方向，并且响应于反转第一...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。