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本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自适应低损耗功率器件。本发明主要特征在于：具有阳极绝缘介质槽和在阳极自适应MOS结构。正向导通时，阳极端自适应MOS结构处于关闭状态，器件导通时不会出现snapback现象；同时阳极端绝缘介质槽可以...
该专利属于电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。

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