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本发明为用于在半导体制造工艺中形成蚀刻图案的方法，其在蚀刻工艺前，将通常在晶片上形成光刻胶膜/反射防止膜/SiON膜/有机硬掩膜的4层的以往方法，改变为只形成由光刻胶膜/多功能有机无机掩膜构成的2个层而体现相同的蚀刻图案的创新性方法，与以往...
该专利属于荣昌化学制品株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过荣昌化学制品株式会社授权不得商用。

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