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本公开提供了一种场效应晶体管(FET)堆叠及其形成方法。该FET堆叠包括位于衬底上方的第一晶体管。第一晶体管包括第一有源半导体材料和第一栅极结构，该第一有源半导体材料包括位于第一组源极端子/漏极端子之间的第一沟道区域，以及该第一栅极结构位于...
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