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存储器单元包括位于半导体衬底上方的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括接触字线的存储器膜；以及接触源极线和位线的氧化物半导体(OS)层，其中，存储器膜设置在OS层和字线之间；以及将源极线和位线分隔开的介电材料。介电材料与OS层形成界面。介电材料包括氢...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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