温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种三维(3D)半导体存储器件，包括：第一单元堆叠，沿第一方向和第二方向布置；第二单元堆叠，设置在所述第一单元堆叠上并且沿所述第一方向和所述第二方向布置；第一导电线，沿所述第一方向延伸并且被设置在衬底与所述第一单元堆叠之间；公共导电线，沿所...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。