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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底顶面低于所述第二区域的半导体衬底顶面；栅介质层，分别位于所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面，且第一区域栅...
该专利属于中芯北方集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯北方集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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