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本发明提供一种外延基底用硅晶片之背面膜层及制造方法。所述外延基底用硅晶片之背面膜层包括：双层膜，所述双层膜包括直接覆盖在硅晶片背面上的第一层，以及第一层上覆盖的第二层；所述外延基底用硅晶片之背面膜层的制造方法包括：步骤1，将硅晶片背面朝上装...
该专利属于上海超硅半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超硅半导体股份有限公司授权不得商用。

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