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一种抑制外延边缘Crown缺陷的方法技术
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文档序号：30321425
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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种抑制外延边缘Crown缺陷的方法：在衬底上进行外延生长，所述衬底包括内部斜切形成的偏角部以及围绕偏角部的平台部，外延生长时，平台部的上方设置有遮挡件，所述遮挡件的底面与平台部的上表面的高度差为0.1
该专利属于东莞市天域半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市天域半导体科技有限公司授权不得商用。
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