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本发明公开了一种非易失性可重置双向开关装置，包含SOI晶圆的硅衬底，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层，SOI晶圆的衬底绝缘层的上方为半导体薄膜、双括号非易失性电荷存储层的部分区域、半导体隧穿层a、半导体隧穿层b、可互换电极内嵌...
该专利属于沈阳工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳工业大学授权不得商用。

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