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本发明提供了一种浅沟槽隔离能力测试结构及其测试方法，应用于半导体领域。在本发明实施例中，在衬底中限定呈梳状结构的第一有源区和第二有源区，并使第一有源区的多个齿部与第二有源区的多个齿部交错设置，从而在第一有源区的齿部和与第一有源区的齿部相邻的...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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