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公开了用于3D存储器阵列的布线布置及其形成方法。在实施例中，一种存储器阵列包括：接触第一字线的铁电(FE)材料；接触源极线和位线的氧化物半导体(OS)层，该FE材料布置在OS层与第一字线之间；接触FE材料的介电材料，该FE材料在介电材料与第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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