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本揭露提供一种存储器器件及其制造方法。存储器器件包括衬底、第一堆叠结构、第二堆叠结构、支柱、隔离结构、存储膜、沟道层及导电柱。第一与第二堆叠结构各自包括第一与第二栅极层且位于衬底上，并通过沟槽隔开。支柱竖立在衬底上且位于沟槽中，并各自具有分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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