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本发明涉及一种碳化硅(SiC)材料及其制备方法，更具体地，涉及一种包括碳化硅(SiC)层的碳化硅(SiC)材料及其制备方法，其中，在所述碳化硅(SiC)层的至少一部分上形成有平均晶粒尺寸为3.5μm以下并在X射线衍射分析中(111)面优先生...
该专利属于韩国东海炭素株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过韩国东海炭素株式会社授权不得商用。

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