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本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：在P型分布式布拉格反射镜远离量子阱的一侧设置有环形凹槽，在N型分布式布拉格反射镜靠近量子阱的一侧设置有氧化图案层，氧化图案层定义出射光束的窗口区域，通过环形凹槽限制...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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