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提供一种半导体器件及其制造方法。栅极结构以及源极端子和漏极端子位于绝缘介电层中，并且源极端子和漏极端子分别位于栅极结构的两个相对端处。沟道区夹置在栅极结构与源极端子和漏极端子之间且环绕栅极结构。沟道区在源极端子与漏极端子之间延伸。极端子与漏...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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