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本发明公开的实施方式提供了适合用于硅裸片靠近封装边缘的ASIC封装件中的比硅高的加强环。加强环被配置为允许接近紧邻ASIC封装件边缘的硅裸片的背面的直接散热。用于ASIC封装件的加强环具有不均匀的横截面，并且可以包括阶梯状的横截面。加强环可...
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