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本发明公开了一种超晶格材料、制备方法及应用，属于半导体技术领域。一种超晶格材料，包括：InAs/GaSb复合层，厚度为1μm～3μm，由数量相等的若干层GaSb层和InAs层依次交替设置形成；柔性衬底，设置于InAs/GaSb复合层的InA...
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