温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供能进一步提高具有包围板状沟道区域的三个表面的栅极电极的半导体元件性能的半导体装置。本发明包括：半导体层；沟道区域，设在半导体层上；第一主电极区域和第二主电极区域，设为面对在沟道区域的沟道长度方向上的两个端侧；栅极绝缘膜，设在第一沟槽和第...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。