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一种存储器单元，包括位于半导体衬底上方的晶体管。晶体管包括沿着字线的侧壁布置的铁电层。铁电层包括具有5的化合价、7的化合价、或其组合的物质。氧化物半导体层电连接至源极线和位线。铁电层设置在氧化物半导体层和字线之间。本申请的实施例提供了存储器...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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