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本申请提供一种混合成像结构，涉及微电子技术领域，用于解决现有的混合成像芯片结构在衬底上布局不合理，导致衬底的整体尺寸较大，增加成本的技术问题，该混合成像结构包括第一互连结构，第一互连结构位于衬底的第一侧的表面上；可见光探测器件，可见光探测器...
该专利属于西安中科立德红外科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安中科立德红外科技有限公司授权不得商用。

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