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本发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述异质结太阳能电池包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片的正面上依次形成有第一及第三本征非晶硅层、N型非晶硅层、第一透明导电膜以及第一电极，其反面上依次形成有第二及第四本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透...
该专利属于理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司授权不得商用。

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