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本发明属于微电子器件及存储技术领域，更具体地，涉及一种非熔融超晶格相变薄膜材料，其包括相变层和钉扎层，所述相变层和钉扎层交替堆叠形成周期性结构，所述相变层采用GeTe材料，所述钉扎层采用TiTe2材料；工作中，在所述相变层开始发生非熔融相变...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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